P55单芯片高效能且稳定性强
P55单芯片系统-低功耗、高效能、稳定性强
(2020-02-04)河南郑州科技市场IT产品配送网-郑州电脑手机测评中心
采用P55芯片组的主板
在这12年里,串行总线如PCI-E、HT、QPI先后出现,推进了双芯片向单芯片迈进的步伐。AMD首先把原来在北桥的内存控制器移出北桥,整合到CPU内,预示着北桥的另一半——图形控制器也将移到CPU内,但是这一步英特尔走在了前面,先是X58芯片组把内存控制器移到Core i7(1366)处理器内,接着Ibex Peak芯片组把整个北桥移到Lynn Field处理器,跨入了单芯片系统。为什么起步晚的英特尔反超起步早的AMD?这是因为把整个北桥移到CPU内涉及到很多技术,特别是芯片生产工艺以及巨额投资。
不断发展,不停减芯
诞生于第二次世界大战时期的第一代电子管电子计算机“埃尼阿克”(ENIAC)是个庞然大物,占地面积达170平方米,重达30吨。第二代晶体管计算机体积明显减小。从第三代大规模集成电路开始,计算机普及到社会各个领域,随后进入千家万户,华夏文化把计算机形象地称之为“电脑”。在电脑普及的历程中,英特尔和微软留下了历史功绩。8086、286、386还是多芯片时代,ISA(Industrial Standard Architecture,工业标准结构)或EISA(Extended Industy Standard Architecture,扩展工业标准结构)总线管理着整个系统。在586多媒体时代,1997年2月英特尔发布430TX芯片组,主板上的芯片组开始了双芯片时代。
多芯片主板
双芯片主板的芯片组称为北桥和南桥。北桥负责CPU、内存、PCI等高速器件,南桥负责低速的ISA总线的设备,并整合了软驱和IDE控制器。奔腾2时代,AGP总线出现,主板的高速区和低速区界线更加明显,以AGP插槽为界,左侧是南桥负责的低速区,右侧是北桥负责的高速区。双芯片系统从1997年开始延续了12年,其间尽管也有单芯片系统,如SIS、ALI等将北桥和南桥芯片整合在一起,但到了2009年8月,英特尔的Lynn field处理器和Ibex Peak芯片组曝光,主要得益于CPU高度集成的功劳,这才意味着真正迈进单芯片系统。
“单”与“双”的对比
双芯片系统是CPU+北桥+南桥,单芯片系统是CPU+南桥,北桥从单独的芯片被整合到CPU内。从系统对比和结构对比可以看到,单芯片系统就意味着主板上只有一片芯片组,原来北桥芯片组内的控制器件分别被移到CPU和PCH芯片内。CPU和PCH通过DMI总线相互连接。请注意,只是位置的移动,原来的功能和性能没有削弱或取消,甚至会增强。比如高速QPI总线,它是芯片之间的互连总线,由于图形控制器在X58芯片内,处理器和X58之间通过QPI总线互连。Lynn Field处理器整合了图形控制器,QPI总线自然配置在处理器内。
单芯片优势可观
单芯片系统是十几年集成电路技术进步的结果,芯片互连串行总线(AMD的HT,英特尔的QPI)为单芯片系统提供了逻辑基础。45nm/32nm工艺让同样面积的硅片可以集成更多的晶体管。高电介质(HIGH-K)技术解决了MOSFET漏电流较大的难题。这两种技术使得处理器整合图形控制器和内存控制器成为了现实,那么单芯片给我们带来哪些益处?
主板设计的“革命”
1. 节省主板空间
主板上拿掉北桥,相对X58主板来说,节省了4cm×4cm的面积,CPU插座向板中心移动,增加了CPU供电部分的空间。MOSFET、电感、电容不在拥挤,布线宽松。既有利于MOSFET散热,有有利于降低分布电容。供电电路可以提供更洁净更稳定的电流。
当然,也有主板厂商利用这些空间来“堆料”。对于单芯片系统,用户期望的除了它的性能和稳定以外,更期望它的价格有所降低。某些主板把北桥省下的空间用来“堆料”自然会增加成本,使P55主板价格高升,在全球经济不景气的环境下,有多少用户购买这样的主板?再有Lynnfield Core 系列比Bloomfield Core i7热功耗降低了35W,CPU供电用料应该低于X58,可是上图所示的主板居然超过了X58,这种夸张的豪华的用料会使用户误解Lynnfield Core 系列CPU又是耗电大户。
2.降低布线难度
北桥从主板撤掉,图形控制器与PCI-E ×16的布线直接从CPU插座拉向PCI-E ×16槽,内存控制器与内存槽的布线直接从CPU插座拉向内存槽。布线空间宽松,线迹、线距都可以适当放宽。有利于信号的稳定。
3. 功耗降低,效能提高
人们会怀疑,CPU内整合了处理器、图形控制器和内存控制器,这样的CPU功耗一定成倍增加。其实恰恰相反,功耗反而降低了,而且降低的是无用功耗。我们对比一下LGA 1366接口的Core i7和1156的Core i7热功耗就可以清楚了。从英特尔的热设计功耗可以看到,整合了图形控制器和内存控制器的Lynnfield处理器热功耗反而降低了35W。
为什么功耗会降低呢?这就是高电介质(High-K)技术的功劳。处理器内集成的晶体管都是金属氧化物半导体(MOS)晶体管。这种晶体管有源、漏、栅三个电极,栅极是控制极。栅极与源极和漏极之间有一层绝缘层,并存在分布电容。栅极与源漏极的沟道存在泄漏电流,这是MOS晶体管的难题。特别是集成度越高,MOS晶体管尺寸越小,漏电流问题越严重。CPU的高发热量主要是泄漏电流引起,这些泄漏电流是浪费的无用功耗。高电介质(High-K)技术就是在栅极与沟道之间加一层介电系数高的电介质,既可以在3.0nm的厚度保持较高的电容量,又可以降低泄漏电流。与High-K相反的是Low-K技术,两种技术谁优谁劣,一直存在争论。英特尔在Lynnfield处理器成功地应用了高电介质(HIGH-K)技术,并有新的改进,才使得Lynnfield处理器的热功耗降低到95W,提高了处理器的效能。
4.频率更高,速度更快
由于高电介质(High-K)技术增加了栅极与源、漏极之间的电容,Lynnfield处理器工作的频率和速度都明显高于Bloomfield处理器。同频率的CPU,Lynnfield表现出更强的超频能力。拿到测试版Lynnfield的用户已经为出色的超频性能而惊喜。
P55主板的上市,预示着我们正式进入单芯片系统时代,拥有积极重要的意义的是,英特尔发布单芯片系统是计算机发展史的一个重要里程碑,它将使电脑的外部结构更加简化,体积进一步缩小,效能和稳定性再次提高,电脑应用将更为简单化。同时,单芯片系统的出现,在IT产业方面,也意味主板结构、整机系统结构在不远的将来都会有新的发展。
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